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Diodes 最新产品快报2020第十二期

发布时间: 2020-12-31      浏览:8

Diodes 最新产品快报2020第十二期


本期目录


符合汽车规格*的 3.5A 高功率密度同步降压转换器


适用于SD3.0-SDR104 兼容记忆储卡产品应用的六位双向电平移位器


高电压保护USB 2.0 1:2 & 1:1 多路复用器/解复用器

适用于中功率产品应用的1A低压差稳压器,具有良好功率与严格容差

*符合汽车规格的产品皆通过 AEC-Q 认证,于支持 PPAP 文件的 IATF16949 认证生产设施制造。


项目概述如下

符合汽车规格的3.5A 高功率密度且拥有丰富功能的同步降压转换器


AP63356QAP63357Q皆为符合汽车规格的 3.5A 同步降压转换器,输入电压范围为 3.8V 至 32V,且通过 AEC-Q100 一级认证。其 74mΩ 高侧和40mΩ 低侧功率金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 可提供高效率降压型 DC-DC 转换。这两款装置均具有电源输出稳定 (Power-Good) 及选用的外部补偿功能,可提高设计灵活性。


这两款装置均采用专有的抗振铃切换节点闸极驱动器,不会影响切换上升和下降时间,进而降低高频辐射 EMI 噪声。这两款装置具有跳频展频 (FSS) 功能,可进一步降低 EMI。


这两款装置皆采用具有可润湿侧翼的高功率密度 V-DFN3020-13 (SWP) 封装,该封装采用优化引脚配置,可简化 PCB 布局及降低布线电感。


电源输出稳定 (Power-Good) 及补偿引脚功能,可提高设计灵活性


AP63356Q (PWM) 固定450kHz切换频率,可实现最小的输出纹波


AP63357Q (PFM) 具有22µA低静态电流/ 5mA 负载时效率达 86%,可提高轻负载高效率


产品封装:具有可润湿侧翼的 V-DFN3020-13 (SWP)


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适用于SD 3.0-SDR104 兼容记忆储卡产品应用的六位双向电平移位器

PI4ULS3V4857是一款符合 SD 3.0 标准的无方向引脚控制双向双电压电位转换器。它能够将 1.2V 至 1.8V 的主机侧电压,转换为 1.8V 或 3.0V 的记忆卡电压讯号,或是进行反向转换。PI4ULS3V4857的时钟速率达到 208MHz,能够支持目前最快的 SD 卡接口,即SD 3.0 SDR104。


这款 6 位装置还适用于 SDR50 (100MHz)、SDR25 (50MHz)、DDR50 (50MHz) 及 SDR12 (25MHz) 运作。向后兼容性表示它也能处理旧版 SD 2.0 高速 (50MHz) 与默认速度(25MHz) 模式。


该装置具有一个整合的电压选择稳压器、内建 EMI 滤波器与 ESD 保护 (8kV)。


内建 100mA LDO 电压调节器


内建电磁干扰 (EMI) 滤波器


消除了外部 EMI 零件,降低了 BOM 总成本


产品封装:20 球  WLCSP (间距 0.4 mm)


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高电压保护USB 2.0 1:2 & 1:1 多路复用器/复用器


PI3USB4000D与 PI3USB4002A隶属高效能被动讯号多路复用器/解复用器切换器系列。此系列具备高电压保护功能,可切换 USB 2.0 和 UART 讯号。

Diodes Incorporated 采用独特设计技术,能够在高速数据引脚上提供 24VDC 容差,防止 USB 和 USB Type-C® 接头的 Vbus 短路。这项独特技术具有低功耗 (约 35uA),且采用1.5mm x 2.0mm 的紧凑型封装方式,适合行动产品应用。

具有高电压保护功能的 USB 2.0 多任务器,可承受 24V DC,适用于 Robust USB-C 解决方案


超低的 35µA 电源电流与 1uA 的芯片禁用电流消耗


高效能 ESD 保护:符合 IEC61000-4-2、10kV 标准


产品封装:UQFN (1.5mm x 2mm)


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适用于中功率产品应用的 1A 低压差稳压器,具有良好功率与严格容差

AP7361E是一款超低压差线性稳压器,采用高热效率的 3mm x 3mm 封装,具有电源输出稳定 (Power-Good) 功能,便于进行上电时序控制。


AP7361E 具备严格的 1% 容差、低压差与低静态电流,适用于包括电池供电装置在内的中低功率产品应用。其Enable 和 Power-Good 功能能支持当今复杂系统所需的电源顺序控制。


包括短路折返在内的过电流保护措施,加上热关断措施,可保护 IC 在故障时不受损坏。

超低 (340mV) 压差 (Vout=3V Iout=1A)


25ºC 时输出精度为 1.0%,-40 至 +85ºC 时为 1.5%


低 Iq 68 μA (适合电池供电产品应用)


产品封装:U-DFN3030-8 (E 型),高度 = 0.6mm


详细信息请参阅www.diodes.com

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