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具备中断功能的 8 位 I2C 总线和 SMBus GPIO 扩充器 在单一封装中具有两个 MOSFET 的 LDMOS 30V 半桥电源块 适用于多摄像头装置的 MIPI 2:1 切换器 高 PSRR 低噪声的低压差稳压器，适用于噪声敏感型产品应用 项目概述如下 具备中断功能的 8 位 I2C 总线和 SMBus 一般用途 IO (GPIO) 扩充器 PI4IOE5V9554是 8 位的一般用途平行输入/输出 (GPIO) I/O 扩充器，透过 I2C 总线和 SMBus 接口，为大多数微控制器系列提供远程 I/O 扩充。在 ACPI 电源切换器、传感器、按钮、LED 和风扇需要额外的 I/O 时，此装置提供简易的解决方案。 此装置提供更高的驱动能力、5V I/O 容差、更低的供应电流、个别 I/O 组态、400kHz 时钟频率和更小的封装方式。 最小的装置封装：3mm x 3mm x 0.75mm (TQFN 和 TSSOP) 低功耗供应电流 (IDD < 60uA) 降低系统功耗 通电重设功能 (POR) 的低电压 VPOS (1.16V)，提供更快速的缓存器初始化 在单一封装中具有两个 MOSFET 的 LDMOS 30V 半桥电源块 DMN3012LEG是新一代首款独立 MOSFET，在尺寸仅 3.3mm x 3.3mm 的 PowerDI®3333-8 D 型封装中提供领先业界的效率，可大幅节省多种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。 DMN3012LEG 在单一封装中具有两个 MOSFET，相较于典型双芯片解决方案，电路板空间需求最多可减少 50%。用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑时，则可缩小许多功率转换器解决方案的尺寸。此组件使用横向扩散 MOS (LDMOS) 制程，结合快速导通和间断动作，Q1 延迟速度仅 5.1ns 和 6.4ns，Q2 仅 4.4ns 和 12.4ns。 横向扩散 MOS (LDMOS) 设计实现了业界最低的功耗，将高功率密度、高效率、高频性能，以及超低内部电感、低导通电阻与低电容优化。 增加 95% 的系统效率 Q1 ******导通电阻 (RDS(ON)) 在 Vgs=5V 时为 12mΩ，Q2 在 Vgs=5V 时则是 6mΩ 超低的封装电感降低切换损耗 单相及多相负载点 (POL) 与稳压器模块 (VRM) PI3WVR626是一款 MIPI® 2:1 切换器，单一主机装置可藉此与两个符合 MIPI 标准的模块连接，为工程师提供改良的解决方案，将多摄像头手机与其他个人运算装置的设计优化。本装置透过三个差分通道提供 2:1 多任务作业，每个信道都可于高速 (HS) 与低耗电 (LP) MIPI 讯号之间切换。 4.5GHz 高带宽搭配通道之间最低程度的倾斜与串扰，代表 C-PHY 操作的数据传输率可达 2.5Gbps，而 D-PHY 的数据传输率也可达3Gbps。本装置具备 6 个通道的单极双投 (SPDT) 切换器，经过优化，可在高速 (HS) 与低耗电 (LP) MIPI 实体接口之间迅速切换。 2:1 切换器支持 D-PHY (2 个数据信道和 1 个频率通道) 与 C-PHY (2 个通道) 两者 4.5GHz 带宽：D-PHY 可达 3Gbps，C-PHY 可达 2.5Gbps LP 与 HS MIPI 有较低的 RON 5.0Ω，可减少插入损耗衰减 低通道间串扰：1.25 GHz 时为 -35 dB 高 PSRR 低噪声的低压差稳压器，适用于噪声敏感型产品应用 AP7353是一款低压差稳压器，拥有 ±1% 的高输出电压准确度与 0.001%mA 的线路调节，并于<0.5mm²的小尺寸中提供 1kHz 时 90dB 的高电源电压抑制比 (PSRR)，使其非常适合支持密集排列的印刷电路板配置。本装置提供 250mA 的输出，电压范围为 1.8 V 到 4.5 V，适用于噪声敏感型与电池运作装置，如穿戴式装置、便携设备和 IoT 产品应用。 90dB 的 PSRR (1kHz 时) 和 18μA 的低静态电流让 AP7353 格外适用于电池供电装置，包括噪声敏感型模拟电路或 RF 接口。AP7353 的高 PSRR 及其 10µV 宽带噪声电压可协助支持高讯噪比。其启用脚位可让 LDO 稳压器在不需使用时进入待机模式，以增加电池寿命。 高 PSRR (1kHz 时为 90dB) 和低噪声 (10Hz - 100kHz 时为 10µVrms) 室温下输出准确度为 1.0%，-40ºC 至 +125ºC 之间的输出准确度则为 2% 具备启用脚位的 18µA 低静态电流 小型化封装：X1-WLB0707-4 (0.67mm x 0.67mm x 0.4mm)
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